Número do Produto do Fabricante:
TSM4NB60CH C5G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM4NB60CH C5G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 4A TO251
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventário:
22491 Pcs Novo Original Em Estoque
12897341
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TSM4NB60CH C5G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
500 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251 (IPAK)
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
TSM4NB60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TSM4NB60CH C5G-DG
TSM4NB60CHC5G
TSM4NB60CHX0G-DG
TSM4NB60CH X0G
TSM4NB60CHX0G
TSM4NB60CH X0G-DG
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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